三相纳米晶磁芯电抗装置实用新型专利介绍

长沙麓山电子科技有限公司自主研发的“一种三相纳米晶磁芯电抗装置”（专利号：ZL 2020 2 1560145.4）获国家知识产权局授权，标志着公司在新型磁性材料应用领域的技术突破。

该专利创新性地将纳米晶磁芯材料应用于三相电抗器设计，通过优化磁路结构与绕组工艺，显著提升了电抗装置的磁导率、抗饱和能力及温度稳定性。与传统硅钢片磁芯相比，纳米晶材料的应用使产品体积缩小30%以上，损耗降低20%，尤其适用于高频、高精度电力电子设备场景，为新能源、轨道交通等领域提供了高效节能的电抗解决方案。

作为公司“新材料+结构创新”战略的重要成果，该专利由王道平、施海军等核心技术团队研发，于2020年7月申请，2021年3月正式授权。其技术优势不仅增强了产品的市场竞争力，更推动了电抗器行业向轻量化、高效化升级。

未来，公司将持续深化纳米晶、非晶等新型材料的研发应用，以技术创新驱动产业升级，为客户创造更高价值。